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J-GLOBAL ID：200902267825676455   整理番号：04A0813931

ゲルマニウム-オン-SOI高速横型PINフォトダイオード

High-Speed Germanium-on-SOI Lateral PIN Photodiodes

著者 (6件)： DEHLINGER G (Infineon Technol., Villach, AUT) ,  KOESTER S J (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  SCHAUB J D (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  CHU J O (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  OUYANG Q C (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  GRILL A (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 16  号： 11  ページ： 2547-2549  発行年： 2004年11月 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲルマニウム-オン-SOI(シリコン-オン-インシュレータ)...

シソーラス用語： *フォトダイオード ,...

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分類 (2件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲルマニウム ,  SOI ,  横型 ,  PINフォトダイオード