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J-GLOBAL ID：200902267856462062   整理番号：08A0575266

薄膜圧電ペロブスカイトによる無鉛モルホトロピック相境界のコンビナトリアル発見

Combinatorial discovery of a lead-free morphotropic phase boundary in a thin-film piezoelectric perovskite

著者 (9件)： FUJINO S. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Maryland, Coll. Park, Maryland 20742, USA) ,  MURAKAMI M. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Maryland, Coll. Park, Maryland 20742, USA) ,  ANBUSATHAIAH V. (School of Materials Sci., Univ. of New South Wales, Sydney New South Wales 2052, AUS) ,  LIM S.-h. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Maryland, Coll. Park, Maryland 20742, USA) ,  NAGARAJAN V. (School of Materials Sci., Univ. of New South Wales, Sydney New South Wales 2052, AUS) ,  FENNIE C. J. (Materials Sci. Div., Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA) ,  WUTTIG M. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Maryland, Coll. Park, Maryland 20742, USA) ,  SALAMANCA-RIBA L. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Maryland, Coll. Park, Maryland 20742, USA) ,  TAKEUCHI I. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Maryland, Coll. Park, Maryland 20742, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 20  ページ： 202904  発行年： 2008年05月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： コンビナトリアル薄膜法を用いた単純ペロブスカイト構造のSnドープBiFeO₃で無鉛モルホトロピック相境界(MPB)の発見について報告する。この境界はほぼBi_0.86Sm_0.14FeO₃で強誘電から反強誘電転移をする菱面体から擬斜方への構造転移で,MPBでエピタキシャル(001)配向のPb(Zr_0.52Ti_0.48)O₃(PZT)薄膜の場合に匹敵する誘電率と面外圧電定数を示す。発見した組成はPZTの無Pb圧電代替物の強力な候補になると考えられる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *圧電体 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  材料 ,  *ビスマス化合物 ,  サマリウム化合物 ,  *鉄酸塩 ,  濃度依存性 ,  置換型固溶体 ,  エピタクシー ,  誘電体薄膜 ,  コンビナトリアルケミストリー ,  *相境界 ,  誘電率 ,  誘電正接 ,  縦モード ,  定数 ,  結晶構造 ,  抗電場 ,  残留分極
準シソーラス用語： 無鉛材料 ,  *モルホトロピック相境界 ,  圧電定数

分類 (1件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (5件)： 薄膜 ,  圧電 ,  ペロブスカイト ,  モルホトロピック相境界 ,  発見