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J-GLOBAL ID：200902268088274266   整理番号：09A0063205

次世代超高速スイッチング素子ゲート駆動回路の開発

Development of Gate Drive Circuit for Next-Generation Ultra High-Speed Switching Devices

著者 (3件)： 野口季彦 (長岡技術科学大学) ,  矢島哲志 (長岡技術科学大学) ,  小松宏禎 (長岡技術科学大学)
資料名： 電気学会論文誌 D  (IEEJ Transactions on Industry Applications)
巻： 129  号： 1  ページ： 46-52 (J-STAGE)  発行年： 2009年 
JST資料番号： X0451A  ISSN： 0913-6339  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiC(Si1icone Carbide)-MOSFETのような,SiCに基づく素子は高耐圧,高温動作,高速スイッチング,低損失など数々の特長をもっており,電力変換器のパワー密度を飛躍的に向上させると期待されている。しかし,MOSFETでは高耐圧化に伴って各種寄生容量が増加する傾向にある。そのため,寄生容量を介して流れるコモンモードノイズ電流が誤動作を引き起こすことも懸念される。そこで,本論文では超高速スイッチング素子のゲート容量を高速に充放電するゲート駆動回路と,主素子の高dV/dtスイッチング動作に起因した高周波コモンモードノイズ電流に対する対策を施したゲート駆動回路を検討し,その効果を実験検証した。その結果,主素子のスイッチング時間を大幅に短縮することができ,ゲート駆動回路内のコモンモードノイズ電流ピーク値を従来の1/4以下に抑制することができた。

シソーラス用語： *スイッチング素子 ,  高速度 ,  *炭化ケイ素 ,  *ゲート【半導体】 ,  *駆動回路 ,  MOSFET ,  漂遊容量 ,  電流 ,  電磁干渉
準シソーラス用語： 超高速 ,  コモンモード電流 ,  EMI【電磁干渉】

分類 (1件)： その他の電子回路  (NC05090X)

引用文献 (11件)：

• (1) 荒井和雄・吉田貞史: 「SiC素子の基礎と応用」, オーム社 (2003)
• (2) K. Takao, T. Yatsuo, and K. Arai: “High di/dt Switching Characteristics of SiC Schottky Barrier Diode”, Trans. IEEJ, Vol. 124-D, No. 9, pp. 917-923 (2004-9) (in Japanese)
• 高尾和人・八尾 勉・荒井和雄: 「SiCショットキーバリアダイオードの高di/dtスイッチング特性」, 電学論D, 124, 9, pp. 917-923 (2004-9)
• (3) T. Takeshige and T. Noguchi: “Implementation and Operating Characteristics of 2-MHz Inverter Using High-Speed MOSEFTS”, IEEJ, SPC-04-56, pp. 51-56 (2004) (in Japanese)
• 竹重隆正・野口季彦: 「超高速MOSFETを用いた2MHzインバータの実装と動作特性」, 電学SPC, SPC-04-56, pp. 51-56 (2004)

タイトルに関連する用語 (5件)： 次世代 ,  超高速 ,  スイッチング素子 ,  ゲート駆動回路 ,  開発