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J-GLOBAL ID：200902268225366947   整理番号：09A0205133

水素終端Si(111)面の光照射による水素脱離の光和周波,光第二高調波顕微像の同時観察

著者 (5件)： 岡田純一 (北陸先端科学技術大学院大) ,  山下啓 (北陸先端科学技術大学院大) ,  宮内良広 (北陸先端科学技術大学院大) ,  佐野陽之 (北陸先端科学技術大学院大) ,  水谷五郎 (北陸先端科学技術大学院大)
資料名： 光物性研究会論文集  (Proceedings of the Symposium of Association for Condensed Matter Photophysics, Japan)
巻： 18th  ページ： 227-230  発行年： 2007年 
JST資料番号： L3956A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： パルス赤外光照射による水素終端Si(111)面からの水素脱離を,和周波数発生(SFG)と第二高調波発生(SHG)を利用した顕微鏡を用いて調べた。SF顕微鏡では表面分子振動像が,SH顕微鏡では表面電子準位像が得られる。SF顕微鏡像から赤外光照射領域では,水素脱離によってモノハイドライドのSi-H振動が消失し,微量のダイハイドライドが形成されることが分かった。水素脱離は照射パワーに対してしきい値をもち,水素脱離量は照射パワーに依存する。このことから水素の脱離機構はレーザ誘起熱脱離であると言える。赤外光照射箇所からは強いSH光が生じた。これは水素脱離後に形成されたタングリングボンドに付随する表面電子準位の共鳴光学遷移によるものである。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *水素 ,  *脱着 ,  *赤外線照射 ,  パルスレーザ照射 ,  走査光学顕微鏡 ,  第二高調波発生 ,  和周波数発生 ,  エネルギー依存性 ,  水素化物
準シソーラス用語： 水素終端

分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 水素終端 ,  Si ,  光照射 ,  水素脱離 ,  第二高調波 ,  観察