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J-GLOBAL ID：200902268298148034   整理番号：06A0072530

不揮発性メモリに適用する強誘電性ポリマLangmuir-Blodgett薄膜

Ferroelectric Polymer Langmuir-Blodgett Films for Nonvolatile Memory Applications
著者 (4件)：
DUCHARME Stephen

DUCHARME Stephen について

(Univ. Nebraska, NE, USA)

Univ. Nebraska, NE, USA について

, 
REECE Timothy J.

REECE Timothy J. について

(Univ. Nebraska, NE, USA)

Univ. Nebraska, NE, USA について

, 
OTHON Christina M.

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(Univ. Nebraska, NE, USA)

Univ. Nebraska, NE, USA について

, 
RANNOW R. K.

RANNOW R. K. について

(Hewlett-Packard Corp., OR, USA)

Hewlett-Packard Corp., OR, USA について


資料名：
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  (IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)

IEEE Transactions on Device and Materials Reliability について


巻： 5  号： 4  ページ： 720-735  発行年： 2005年12月 
JST資料番号： W1320A  ISSN： 1530-4388  CODEN： ITDMA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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強誘電体不揮発性メモリ(NV-FRAMまたはNV-FeRAM...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*不揮発性メモリ

不揮発性メモリ について

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VDF-TrFE

VDF-TrFE について

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分類 (3件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体集積回路 
(NC03162T)

半導体集積回路 について

,  強誘電体,反強誘電体,強弾性 
(BM05030B)

強誘電体,反強誘電体,強弾性 について

,  固体デバイス材料 
(NC03020K)

固体デバイス材料 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
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不揮発性メモリ

不揮発性メモリ について

, 
強誘電性

強誘電性 について

, 
ポリマ

ポリマ について

, 
薄膜

薄膜 について


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