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J-GLOBAL ID：200902268530048700   整理番号：09A1072603

局所性両方向書き込みドライバと’1’/’0’デュアルアレー等化参照セルを持った32-Mb 2T1R SPRAM

32-Mb 2T1R SPRAM with localized bi-directional write driver and ’1’/’0’ dual-array equalized reference cell

著者 (17件)： TAKEMURA R. (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  KAWAHARA T. (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  MIURA K. (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  MIURA K. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YAMAMOTO H. (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  YAMAMOTO H. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HAYAKAWA J. (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  MATSUZAKI N. (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  ONO K. (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  YAMANOUCHI M. (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  ITO K. (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  TAKAHASHI H. (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  IKEDA S. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HASEGAWA H. (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  HASEGAWA H. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MATSUOKA H. (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  OHNO H. (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits)
巻： 2009  ページ： 70-71  発行年： 2009年 
JST資料番号： W0767A  ISSN： 2158-5601  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不揮発性と無限の書き込みサイクルという両特徴を持った大規模な不揮発性RAMとしてSPRAM(SPin-transfer torque RAM)は有力なRAMである。アクセス時間32ns,セル書き込み時間40nsの32-MbSPRAMチップについて説明した。このチップは150nmCMOSと100×200nmTMR(Tunneling Magneto-Resistive)デバイスを用いて製作した。その特徴は,1)2T1R(2-Transistor 1-Resistor)タイプのメモリセル,2)局所性両方向書き込みドライバを持ったコンパクトなハイアラーキのビット/電源ライン構造,及び3)’1’/’0’デュアルアレー等化参照セルなどである。これらの特徴により,セルの小型化,安定的な読み込み動作など良好な結果が得られた。

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  *RAM【メモリ】 ,  *磁気抵抗効果 ,  トルク ,  *電子スピン
準シソーラス用語： *SPRAM ,  スピントルク ,  トンネル磁気抵抗効果

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (10件)： 局所性 ,  両方向 ,  書き込み ,  ドライバ ,  デュアル ,  アレー ,  等化 ,  参照 ,  セル ,  SPRAM