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J-GLOBAL ID：200902268540438174   整理番号：05A0443341

40~60の誘電率を持つ高κ非晶質HfTaTiOゲート誘電体の電気的特性

Electrical Properties of Amorphous High-κ HfTaTiO Gate Dielectric With Dielectric Constants of 40-60

著者 (5件)： LU N (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  LI H-J (International SEMATECH, TX, USA) ,  GARDNER M (International SEMATECH, TX, USA) ,  WICKRAMANAYAKA S (ANELVA Corp., Tokyo, JPN) ,  KWONG D-L (Univ. Texas at Austin, TX, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 26  号： 5  ページ： 298-300  発行年： 2005年05月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 40~60の誘電率を持つ高品質Hfゲート誘電体薄膜を実証した...

シソーラス用語： *誘電体薄膜 ,...

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分類 (3件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 誘電率 ,  高 ,  非晶質 ,  ゲート誘電体 ,  電気的特性