r面サファイア上のa面GaNの極性決定とそのラテラル過成長とヘテロエピタクシーに及ぼす影響

WU F; CRAVEN M D; LIM S-H; SPECK J S

文献

J-GLOBAL ID：200902268632330469 整理番号：03A0534336

r面サファイア上のa面GaNの極性決定とそのラテラル過成長とヘテロエピタクシーに及ぼす影響

Polarity determination of a-plane GaN on r-plane sapphire and its effects on lateral overgrowth and heteroepitaxy

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資料名：
巻： 94 号： 2 ページ： 942-947 発行年： 2003年07月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

結晶成長では極性が重要な役割を果たすにもかかわらず,分極誘起...

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半導体薄膜

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