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J-GLOBAL ID：200902268935452168   整理番号：07A0398889

ITOトップゲートの各種長さサイズをもつ二重ゲート,非晶質ケイ素:水素化,薄膜トランジスタのオンオフ電流のメカニズム

The Mechanisms of on/off currents for the Dual-Gate a-Si:H thin film transistors with various length sizes of indium-tin-oxide top gate

著者 (6件)： LIANG Chung-Yu (National Tsing Hua Univ., Hsin-Chu, TWN) ,  LIANG Chung-Yu (AU Optronics Corp.) ,  CHANG T. C. (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  LIU Po-Tsun (National Chiao Tung Univ., Hsin-Chu, TWN) ,  GAN Feng-Yuan (AU Optronics Corp.) ,  YEH F. S. (National Tsing Hua Univ., Hsin-Chu, TWN)
資料名： Proceedings of the International Display Workshops  (Proceedings of the International Display Workshops)
巻： 13th  号： Vol.3  ページ： 1663-1666  発行年： 2006年 
JST資料番号： L4269A  ISSN： 1883-2490  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,...
準シソーラス用語： ITO【固溶体】 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： ITO ,  トップゲート ,  サイズ ,  二重ゲート ,  非晶質ケイ素 ,  水素化 ,  薄膜トランジスタ ,  オンオフ ,  メカニズム