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J-GLOBAL ID：200902269180577204   整理番号：07A0842479

グラフェンのゲート制御p-n接合における量子Hall効果

Quantum Hall Effect in a Gate-Controlled p-n Junction of Graphene

著者 (3件)： WILLIAMS J. R. (Harvard Univ., MA, USA) ,  DICARLO L. (Harvard Univ., MA, USA) ,  MARCUS C. M. (Harvard Univ., MA, USA)
資料名： Science  (Science)
巻： 317  号： 5838  ページ： 638-641  発行年： 2007年08月03日 
JST資料番号： E0078A  ISSN： 0036-8075  CODEN： SCIEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大域的な背面ゲート制御と結合して単一原子層の隣接領域でキャリ...

シソーラス用語： *量子Hall効果 ,...
準シソーラス用語： *黒鉛

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分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (4件)： グラフェン ,  ゲート制御 ,  p-n接合 ,  量子Hall効果