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J-GLOBAL ID：200902269281514459   整理番号：08A0361069

ジグザグ構造のグラフェンナノリボン中でのキラル選択性のトンネル誘導の負性微分抵抗:理論研究

Chiral selective tunneling induced negative differential resistance in zigzag graphene nanoribbon: A theoretical study

著者 (7件)： WANG Z. F. (Hefei National Lab. for Physical Sciences at Microscale, Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei, Anhui 230026 ...) ,  LI Qunxiang (Hefei National Lab. for Physical Sciences at Microscale, Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei, Anhui 230026 ...) ,  SHI Q. W. (Hefei National Lab. for Physical Sciences at Microscale, Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei, Anhui 230026 ...) ,  WANG Xiaoping (Hefei National Lab. for Physical Sciences at Microscale, Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei, Anhui 230026 ...) ,  YANG Jinlong (Hefei National Lab. for Physical Sciences at Microscale, Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei, Anhui 230026 ...) ,  HOU J. G. (Hefei National Lab. for Physical Sciences at Microscale, Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei, Anhui 230026 ...) ,  CHEN Jie (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Alberta, AB T6G 2V4, Canada and National Res. Council/National ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 13  ページ： 133114  発行年： 2008年03月31日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドープされたジグザググラフェンナノリボンの電子輸送および相コヒーレント輸送特性をこの論文では理論的に研究した。デバイスのI-V曲線から興味深い負の微分抵抗(NDR)現象が示された。NDRが,個々のサブバンドの固有状態の対称性に起因するグラフェンのキラルトンネルによって引き起こされることがわかった。この新規物理結果はグラフェンナノリボン中でのキャリア輸送に関するより多くの洞察を得るのにおよびグラフェン-ベースナノ電子デバイスを設計するのに有益であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *グラファイト ,  *ナノ構造 ,  *負性抵抗 ,  *ドーピング ,  半導体 ,  電流電圧特性 ,  カイラル対称性 ,  トンネル効果 ,  折れ線 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： ナノリボン ,  負性微分抵抗

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (8件)： ジグザグ構造 ,  グラフェンナノリボン ,  キラル ,  トンネル ,  誘導 ,  負性微分抵抗 ,  理論 ,  研究