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J-GLOBAL ID：200902269359504056   整理番号：04A0536140

横形ワイドバンドギャップ半導体電力スイッチングデバイスの理論的限界の推定

Theoretical limit estimation of lateral wide band-gap semiconductor power-switching device

著者 (4件)： SAITO W (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  OMURA I (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  OGURA T (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  OHASHI H (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 48  号： 9  ページ： 1555-1562  発行年： 2004年09月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC系,GaN系とダイヤモンド系の横形ワイドバンドギャップ...

シソーラス用語： エネルギーギャップ ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 横形 ,  ワイドバンドギャップ半導体 ,  スイッチングデバイス ,  理論 ,  限界 ,  推定