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J-GLOBAL ID：200902269538404609   整理番号：03A0669245

半導体ナノ細線とナノリボンを用いた高性能薄膜トランジスタ

High-performance thin-film transistors using semiconductor nanowires and nanoribbons.

著者 (7件)： DUAN X (Nanosys, Inc., Massachusetts, USA) ,  NIU C (Nanosys, Inc., Massachusetts, USA) ,  SAHI V (Nanosys, Inc., Massachusetts, USA) ,  CHEN J (Nanosys, Inc., California, USA) ,  PARCE J W (Nanosys, Inc., California, USA) ,  EMPEDOCLES S (Nanosys, Inc., California, USA) ,  GOLDMAN J L (Nanosys, Inc., Massachusetts, USA)
資料名： Nature (London)  (Nature (London))
巻： 425  号： 6955  ページ： 274-278  発行年： 2003年09月18日 
JST資料番号： D0193B  ISSN： 0028-0836  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温工程が可能であり,多結晶や単結晶に近い性能が期待される配...

シソーラス用語： 半導体 ,...
準シソーラス用語： ナノ細線

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノ細線 ,  ナノリボン ,  高性能 ,  薄膜トランジスタ