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J-GLOBAL ID：200902269637864964   整理番号：09A0813299

デカ-ナノメーター・フラッシュメモリのランダム電信雑音不安定性についての広範囲な解析とそのスケーリング

Comprehensive Analysis of Random Telegraph Noise Instability and Its Scaling in Deca-Nanometer Flash Memories

著者 (7件)： GHETTI Andrea (Numonyx, Agrate Brianza, ITA) ,  MONZIO COMPAGNONI Christian (Politecnico di Milano, Milano, ITA) ,  MONZIO COMPAGNONI Christian (Italian Univ. Nano-Electronics Team (IU .NET), Milano, ITA) ,  SPINELLI Alessandro S. (Politecnico di Milano, Milano, ITA) ,  SPINELLI Alessandro S. (Italian Univ. Nano-Electronics Team (IU .NET), Milano, ITA) ,  SPINELLI Alessandro S. (Istituto di Fotonica e Nanotecnologie, Consiglio Nazionale delle Ricerche, Milano, ITA) ,  VISCONTI Angelo (Numonyx, Agrate Brianza, ITA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 56  号： 8  ページ： 1746-1752  発行年： 2009年08月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： デカ-ナノメータ・フラッシュメモリのランダム電信雑音(RTN)不安定性について,広範囲な検討を行った。NOR型とNAND型の両メモリアーキテクチャを考慮した。閾値電圧不安定性についての統計分布を詳細に解析し,その指数関数型テールの勾配がRTNのスケーリングのトレンドを決定する重要なパラメータであることを立証した。3D TCADシミュレーションを利用し,勾配がセル形状,原子論的基板ドーピング,およびアクティブ領域トラップのランダム配置の結果であることを示した。セルパラメータ(幅,長さ,トンネル酸化物厚さ,基板ドーピング)への勾配の依存性について,関係式の形に集約し,実験データとの比較を行い,良好な一致をみた。

シソーラス用語： *フラッシュメモリ ,  *不規則雑音 ,  電圧 ,  電圧変動 ,  不安定性 ,  統計解析 ,  スケーリング【計数】 ,  勾配 ,  記憶素子 ,  捕獲中心 ,  パラメータ ,  数学モデル
準シソーラス用語： 数値モデル ,  統計分布 ,  閾値電圧

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノメーター ,  フラッシュメモリ ,  電信雑音 ,  不安定性 ,  解析 ,  スケーリング