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J-GLOBAL ID：200902270086932325   整理番号：09A1237453

ドーピングしたケイ素表面における仕事関数の実測

Experimental measurement of work function in doped silicon surfaces

著者 (1件)： NOVIKOV Alexander (The Univ. of Texas at Dallas, Dep. of Physics, Richardson, TX 75080, USA)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 54  号： 1  ページ： 8-13  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報告にはドーピングしたケイ素表面の電子に関する仕事関数の理論と実測について述べる。最初に仕事関数と局在仕事関数の定義について述べる。仕事関数の値がFermiエネルギー準位の位置を定義するとわかった。理論的な半導体表面モデルの表面ポテンシャルと電界の数値計算が有限表面と無限表面の間にある相違を明らかにした。ドープしたケイ素サンプル表面に実測したFermiエネルギーは,低または中程度のドーピング試料に限って理論とよく一致した。最後に,理論と実験の間の相違について適切と思える解釈を述べた。この系の改善に関する示唆を付記した。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ドーピング ,  *仕事関数 ,  *局在状態 ,  Fermi準位 ,  光起電力効果 ,  力顕微鏡 ,  ケイ素 ,  表面 ,  *半導体材料

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  電子放出一般  (BM09010H)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドーピング ,  ケイ素 ,  仕事関数 ,  実測