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J-GLOBAL ID：200902270467144579   整理番号：08A0916493

不揮発性半導体メモリー技術の現状

Review of nonvolatile semiconductor memories.

著者 (1件)： 藤崎芳久 (日立 中研)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 77  号： 9  ページ： 1060-1071  発行年： 2008年09月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 不揮発性半導体メモリー技術の現状を概観した。フラッシュメモリーに高集積化の限界が見え始め,これに代わる新メモリーの提案が活発である。新型の不揮発性メモリーはフラッシュメモリーと異なり,電荷蓄積によらない原理に基づく。超高集積NAND型フラッシュメモリーをPRAMやReRAMが置き換える可能性が議論されるが,課題も多く,置き換えは容易ではない。一方,フラッシュメモリーの高い動作電圧,遅い書き換え速度,有限の書き換え回数などの弱点をカバーする分野でFeRAMやMRAMが浸透し始めている。新型不揮発性メモリー実用化には,フラッシュでは実現できない新しい分野で製品化を果たし,技術を育てる発想が求められる。(著者抄録)

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  *半導体メモリ ,  PRAM【メモリ】 ,  *MRAM ,  *FeRAM ,  実用化 ,  *金属酸化物 ,  固体電解質

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (84件)：

• Table PIDS5a in International Technology Roadmap for Semiconductors. Process Integration, Devices and Structures. 2007, 36
• KINAM, K. Proc. Int. Symp. VLSI Technology, Kyoto, 2005. 2005, 88
• FAZIO, A. MRS Bull. 2004, 29, 814
• TANAKA, H. Proc. Int. Symp. VLSI Technology, Kyoto, 2007. 2007, 14
• SHIBATA, N. Proc. Int. Symp. VLSI Circuits, Kyoto, 2007. 2007, 190

タイトルに関連する用語 (3件)： 不揮発性 ,  半導体メモリー ,  現状