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J-GLOBAL ID：200902270597579747   整理番号：08A0614733

グラフェンにおける谷フィルターと谷バルブ

Valley filter and valley valve in graphene

著者 (4件)： RYCERZ A. (Universiteit Leiden, Leiden, NLD) ,  RYCERZ A. (Jagiellonian Univ., Krakow, POL) ,  TWORZYDLO J. (Warsaw Univ., Warsaw, POL) ,  BEENAKKER C.W.J. (Universiteit Leiden, Leiden, NLD)
資料名： Nature Physics  (Nature Physics)
巻： 3  号： 3  ページ： 172-175  発行年： 2007年03月 
JST資料番号： W2060A  ISSN： 1745-2473  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭素エレクトロニクス用途のグラフェンの潜在能力は,シリコンベースのエレクトロニクスには全く類似デバイスが作れないような異常なバンド構造に由来する。グラフェンの伝導帯と価電子帯は円錐形状の谷を形成し,ディラック点と言われる点で接触する。時間反転対称性に関係してブリランゾーン内に2個の非等価なディラック点が存在する。純粋試料では谷間の散乱は抑制される。谷の自由度の独立性と縮退は,電子スピンがスピントロニクスや量子計算に利用可能なように,電子素子の制御に使用できるとの期待を抱かせる。谷工学(バレイトロニクス)実現のキーはグラフェンの単一谷の占有状態を制御して谷分極を生成することにある。ジグザグエッジの弾道的点コンタクトに基づいて谷フィルタを提案した。点コンタクト領域にゲート電圧を局所的に印加することによって極性を反転させることができる。直列に接続した2個の谷フィルタは静電的に制御した谷バルブとして機能し,周知スピンバルブのゼロ磁場カウンタパートになることが期待される。

シソーラス用語： *グラファイト ,  バンド構造 ,  *伝導バンド ,  *価電子バンド ,  フィルタ ,  弁 ,  *半導体
準シソーラス用語： バルブ

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： グラフェン ,  谷 ,  フィルター ,  バルブ