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J-GLOBAL ID：200902270627113470   整理番号：09A0904483

GaNに基づく広帯域青色超発光ダイオード

Broadband blue superluminescent light-emitting diodes based on GaN

著者 (11件)： FELTIN E. (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), IPEQ, CH-1015 Lausanne, CHE) ,  CASTIGLIA A. (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), IPEQ, CH-1015 Lausanne, CHE) ,  COSENDEY G. (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), IPEQ, CH-1015 Lausanne, CHE) ,  SULMONI L. (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), IPEQ, CH-1015 Lausanne, CHE) ,  CARLIN J.-f. (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), IPEQ, CH-1015 Lausanne, CHE) ,  GRANDJEAN N. (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), IPEQ, CH-1015 Lausanne, CHE) ,  ROSSETTI M. (EXALOS AG, Wagistrasse 21, CH-8952 Schlieren, CHE) ,  DORSAZ J. (EXALOS AG, Wagistrasse 21, CH-8952 Schlieren, CHE) ,  LAINO V. (EXALOS AG, Wagistrasse 21, CH-8952 Schlieren, CHE) ,  DUELK M. (EXALOS AG, Wagistrasse 21, CH-8952 Schlieren, CHE) ,  VELEZ C. (EXALOS AG, Wagistrasse 21, CH-8952 Schlieren, CHE)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 95  号： 8  ページ： 081107  発行年： 2009年08月24日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN基板上のIII族窒化物青色超発光ダイオードの実現について報告する。エピタクシー構造はGaN/AlGaN導波路中のIn_0.12Ga_0.88N量子井戸からなる活性領域を含む。電流130mA,電荷密度8kA/cm²に対して連続波動作下の超ルミネセンスを室温で観測した。超ルミネセンス領域における中心発光波長は420nm,発光帯域幅は約5nmであった。パルス動作下で630mAで100mWのピーク光出力パワーを得,デューティサイクル20%で平均パワー10mWを実現した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *発光ダイオード ,  広帯域 ,  青 ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  エピタクシー ,  アルミニウム化合物 ,  量子井戸 ,  インジウム化合物 ,  電荷分布 ,  密度 ,  *ルミネセンス
準シソーラス用語： *超発光ダイオード ,  電荷密度 ,  *超ルミネセンス

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  広帯域 ,  青色 ,  発光ダイオード