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J-GLOBAL ID：200902270703316106   整理番号：09A1117370

非常に鋭いシリコン・オン・インシュレータナノワイヤの曲がり損失の比較研究

Comparative Study of Losses in Ultrasharp Silicon-on-Insulator Nanowire Bends

著者 (3件)： SHENG Zhen ,  DAI Daoxin ,  HE Sailing
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 15  号： 5  ページ： 1406-1412  発行年： 2009年09月 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非常に鋭い曲率半径(R<2μm)をもつシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ナノワイヤ導波路の伝搬特性を数値解析した。直線入出力部と90°曲がりによる伝送損失を異なるサイズと構造に対して計算した。従来のモード解析法による損失は過大評価になるので,より正確な三次元有限差分時間領域法を用いて解析した。その結果,導波路コアの幅または高さが増加すると,TEモードの損失が長波長では減少するが,短波長では多モード効果による性能の劣化が起こることが分かった。TMモードの場合はコアの幅よりも高さの増加が損失の減少に対して効果的であった。シリカクラッドをもつ場合は光閉込めが弱くなり損失が増加した。また,微小リング共振器の固有Q値とRとの関係も調べ,R≒1μmの場合でも10⁴の高いQ値が得られることを見いだした。

シソーラス用語： *光導波路 ,  *曲がり導波管 ,  *SOI構造 ,  *ナノワイヤ ,  *伝送損失 ,  数値解析 ,  曲率 ,  有限差分時間領域法 ,  三次元 ,  心材 ,  幅 ,  高さ ,  空間依存性 ,  TEモード ,  TMモード ,  波長依存性 ,  閉込め ,  微小共振器 ,  リング共振器 ,  Q値 ,  光閉込め ,  材料

分類 (1件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

タイトルに関連する用語 (3件)： 曲がり ,  損失 ,  研究