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J-GLOBAL ID：200902271185324015   整理番号：07A0224268

単一分子の評価のための,平面ナノギャップ電極の新しい製造法

Novel fabrication technologies of planar nano-gap electrodes for single molecule evaluation
著者 (15件)：
TSUTSUI Ken

TSUTSUI Ken について

(Nanotechnology Res. Lab., Waseda Univ., Tokyo 162-0041, JPN)

Nanotechnology Res. Lab., Waseda Univ., Tokyo 162-0041, JPN について

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NAKATA Masashi

NAKATA Masashi について

(Graduate School of Sci. and Engineering, Waseda Univ., Tokyo, JPN)

Graduate School of Sci. and Engineering, Waseda Univ., Tokyo, JPN について

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NAKATA Masashi

NAKATA Masashi について

(CREST-JST)

CREST-JST について

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MORITA Masayuki

MORITA Masayuki について

(Nanotechnology Res. Lab., Waseda Univ., Tokyo 162-0041, JPN)

Nanotechnology Res. Lab., Waseda Univ., Tokyo 162-0041, JPN について

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TOKUDA Masahide

TOKUDA Masahide について

(Nanotechnology Res. Lab., Waseda Univ., Tokyo 162-0041, JPN)

Nanotechnology Res. Lab., Waseda Univ., Tokyo 162-0041, JPN について

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NAGATSUMA Kazuyuki

NAGATSUMA Kazuyuki について

(Nanotechnology Res. Lab., Waseda Univ., Tokyo 162-0041, JPN)

Nanotechnology Res. Lab., Waseda Univ., Tokyo 162-0041, JPN について

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ONOZATO Harumasa

ONOZATO Harumasa について

(Nanotechnology Res. Lab., Waseda Univ., Tokyo 162-0041, JPN)

Nanotechnology Res. Lab., Waseda Univ., Tokyo 162-0041, JPN について

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KANEKO Tadao

KANEKO Tadao について

(Nanotechnology Res. Lab., Waseda Univ., Tokyo 162-0041, JPN)

Nanotechnology Res. Lab., Waseda Univ., Tokyo 162-0041, JPN について

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EDURA Tomohiko

EDURA Tomohiko について

(Nanotechnology Res. Lab., Waseda Univ., Tokyo 162-0041, JPN)

Nanotechnology Res. Lab., Waseda Univ., Tokyo 162-0041, JPN について

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MITA Yoshio

MITA Yoshio について

(VDEC, The Univ. of Tokyo, Tokyo, JPN)

VDEC, The Univ. of Tokyo, Tokyo, JPN について

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KOINUMA Hideomi

KOINUMA Hideomi について

(Graduate School of Frontier Sciences, The Univ. of Tokyo, Tokyo, JPN)

Graduate School of Frontier Sciences, The Univ. of Tokyo, Tokyo, JPN について

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KOINUMA Hideomi

KOINUMA Hideomi について

(CREST-JST)

CREST-JST について

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WADA Yasuo

WADA Yasuo について

(Nanotechnology Res. Lab., Waseda Univ., Tokyo 162-0041, JPN)

Nanotechnology Res. Lab., Waseda Univ., Tokyo 162-0041, JPN について

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WADA Yasuo

WADA Yasuo について

(Graduate School of Sci. and Engineering, Waseda Univ., Tokyo, JPN)

Graduate School of Sci. and Engineering, Waseda Univ., Tokyo, JPN について

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WADA Yasuo

WADA Yasuo について

(CREST-JST)

CREST-JST について


資料名：
Current Applied Physics  (Current Applied Physics)

Current Applied Physics について


巻： 7  号： 4  ページ： 329-333  発行年： 2007年05月 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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現在の情報技術では,半導体素子と磁気/光学ディスクを用いる。...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*分子素子

分子素子 について

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ナノギヤップ電極

ナノギヤップ電極 について


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分類 (1件)：
分類
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固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
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単一分子

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評価

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ナノギャップ電極

ナノギャップ電極 について

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製造法

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