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J-GLOBAL ID：200902271639518200   整理番号：08A1135806

InAs量子井戸構造を用いたガスセンシング用2μm波長帯半導体レーザー

InAs quantum-well lasers emitting in the 2-μm-wavelength range for gas-sensing applications

著者 (3件)： 佐藤具就 (NTT フォトニクス研) ,  満原学 (NTT フォトニクス研) ,  近藤康洋 (NTT フォトニクス研)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 77  号： 11  ページ： 1324-1327  発行年： 2008年11月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本稿では,ガスセンシング用光源として開発したInP基板上のInAs量子井戸構造を用いた2μm波長帯半導体レーザーについて報告する。従来のInP基板を用いたレーザーの発振波長は2μm以下であったが,レーザーの活性層に低温のMOVPE成長により作製したInAs量子井戸構造を用いることにより,2.33μmまでの発振が得られた。さらに,光通信用として成熟した分布帰還型レーザーの作製技術を応用することにより,一酸化炭素の吸収線と一致する2.33μmでの単一波長発振を実現した。この2μm波長帯半導体レーザーは,高感度で簡易なガスセンシングシステムの光源として期待される。(著者抄録)

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  化合物半導体 ,  光源 ,  量子ドット ,  *量子井戸レーザ ,  リン化インジウム ,  MOCVD ,  レーザ発振 ,  *分布帰還形レーザ ,  二酸化炭素 ,  赤外吸収スペクトル ,  ガスセンサ ,  Fabry-Perot共振器

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (9件)：

• MITSUHARA, M. IEEE Photon. Technol. Lett. 1999, 11, 33
• SATO, T. IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 2007, 13, 1079
• 西永頌編著. 結晶成長の基礎. 1997
• XING, Q. J. Appl. Phys. Lett. 1994, 65, 567
• WANG, J. S. IEEE J. Quantum Electron. 1998, 34, 1959

タイトルに関連する用語 (5件)： InAs ,  量子井戸 ,  センシング ,  M波 ,  半導体レーザー