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J-GLOBAL ID：200902271663223955   整理番号：09A0814419

テラヘルツおよび赤外検出に対するグラフェン二層電界効果フォトトランジスタ

Graphene bilayer field-effect phototransistor for terahertz and infrared detection

著者 (2件)： RYZHII V. ,  RYZHII M.
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 79  号： 24  ページ： 245311.1-245311.8  発行年： 2009年06月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン二層フォトトランジスタ(GBL-PT)を提案し解析した。このGBL-PTは,裏面と上面ゲート間のサンドイッチチャネルとしてGBLを持つ電界効果型トランジスタの構造を有する。裏面ゲートへの正のバイアスは,伝導ソースとチャネルのドレイン部を作り,一方,上面ゲートへの負のバイアスは光生成正孔の電荷によって制御されるポテンシャル障壁を提供する。GBL-PT動作の特徴は,ゲート電圧が変化した時のチャネルの異なる部分のポテンシャル分布とエネルギーギャップの両方の変化と関連している。開発したGBL-PT素子モデルを用いて,スペクトル特性,暗電流,応答性,光電子利得,検出性を,印可電圧,入射光子のエネルギー,電子と正孔の散乱強度,構造パラメータの関数として計算した。GBL-PTのスペクトル特性は電圧調整されることを示した。スペクトルのテラヘルツ波および赤外領域の検出器としてのGBL-PTの性能は,他の光検出器の性能を大きく超えることを記した。

シソーラス用語： *グラファイト ,  *フォトトランジスタ ,  *FET【トランジスタ】 ,  *赤外検出器 ,  電磁波 ,  ポテンシャル障壁 ,  光生成 ,  電圧 ,  暗電流 ,  エネルギーギャップ ,  温度依存性 ,  多層 ,  *グラフェン ,  テラヘルツ波
準シソーラス用語： ゲート電圧

分類 (3件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (6件)： テラヘルツ ,  赤外 ,  グラフェン ,  二層 ,  電界効果 ,  フォトトランジスタ