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J-GLOBAL ID：200902271830178703   整理番号：08A0781421

InGaN/Siタンデム太陽電池のモデル化

Modeling of InGaN/Si tandem solar cells

著者 (2件)： HSU L. (Dep. of Postsecondary Teaching and Learning, Univ. of Minnesota, Minneapolis, Minnesota 55414, USA) ,  WALUKIEWICZ W. (Electronic Materials Program, Materials Sci. Div., Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 104  号： 2  ページ： 024507  発行年： 2008年07月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaN p/n接合とSi p/n接合をモノリシックに直列に連結した2接合太陽電池の特性を空気質量1.5グローバル照射スペクトルを使って理論的に調べた。InGaN接合を加えることにより,Si接合が1つだけの太陽電池に比べてエネルギー変換効率は大幅に増大した。Siが高品質でなくても,このような2接合電池では実現が十分に可能な高い効率が得られるだろう。もう1つ接合を加えて,InGaN接合/InGaN接合/Si接合からなる3接合電池を作ると,効率は少しではあるがさらに向上する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *太陽電池 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  ケイ素 ,  半導体接合 ,  *エネルギー変換効率 ,  数値計算 ,  *固体素子モデル ,  *タンデム太陽電池 ,  窒化インジウムガリウム ,  膜厚依存性
準シソーラス用語： ホモ接合

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： InGaN ,  Si ,  タンデム太陽電池 ,  モデル化