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J-GLOBAL ID：200902272157316186   整理番号：06A1045584

ポリ(2,5-ビス(2-チエニル)-3,6-ジアルキルチエノ[3,2-b]チオフェン)-薄膜トランジスタ用の高移動度半導体

Poly(2,5-bis(2-thienyl)-3,6-dialkylthieno[3,2-b]thiophene)s-High-Mobility Semiconductors for Thin-Film Transistors

著者 (6件)： LI Yuning (Xerox Res. Centre of Canada, ON, CAN) ,  WU Yiliang (Xerox Res. Centre of Canada, ON, CAN) ,  LIU Ping (Xerox Res. Centre of Canada, ON, CAN) ,  BIRAU Maria (Xerox Res. Centre of Canada, ON, CAN) ,  PAN Hualong (McMaster Univ., ON, CAN) ,  ONG Beng S (Xerox Res. Centre of Canada, ON, CAN)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 18  号： 22  ページ： 3029-3032  発行年： 2006年11月17日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新規高分子半導体ポリ(2,5-ビス(2-チエニル)-3,6-...

シソーラス用語： *高分子半導体 ,...

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分類 (3件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： 2,5-ビス(5-ブロモ-2-チエニル)-3,6-ビスペンタデシルチエノ[3,2-b]チオフェン

タイトルに関連する用語 (4件)： ビス ,  チオフェン ,  薄膜トランジスタ ,  高移動度