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J-GLOBAL ID:200902272157316186   整理番号:06A1045584

ポリ(2,5-ビス(2-チエニル)-3,6-ジアルキルチエノ[3,2-b]チオフェン)-薄膜トランジスタ用の高移動度半導体

Poly(2,5-bis(2-thienyl)-3,6-dialkylthieno[3,2-b]thiophene)s-High-Mobility Semiconductors for Thin-Film Transistors
著者 (6件):
資料名:
巻: 18  号: 22  ページ: 3029-3032  発行年: 2006年11月17日 
JST資料番号: W0001A  ISSN: 0935-9648  CODEN: ADVMEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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新規高分子半導体ポリ(2,5-ビス(2-チエニル)-3,6-...
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分類 (3件):
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高分子固体の物理的性質  ,  有機化合物の電気伝導  ,  トランジスタ 
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