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文献
J-GLOBAL ID:200902272303624211   整理番号:04A0447877

高速/高密度埋込型メモリー用のW/多結晶-Siから成る低界面抵抗のW-多金属ゲート

W-Polymetal Gate with Low W/Poly-Si Interface Resistance for High-Speed/High-Density Embedded Memory
著者 (6件):
資料名:
巻: 43  号: 4B  ページ: 1799-1803  発行年: 2004年04月30日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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W/WN/WSi/多結晶-Siの構造を持つ新しいW-多金属ゲ...
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (2件):
分類
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金属薄膜  ,  金属-絶縁体-半導体構造 
引用文献 (11件):
  • KASAI, K. Int. Electron Device Meet. Tech. Dig., 1994. 1994, 497
  • WAKABAYASHI, H. Int. Electron Device Meet. Tech. Dig., 1996. 1996, 447
  • TAKAGI, M. T. Int. Electron Device Meet. Tech. Dig., 1996. 1996, 455
  • LEE, B. H. Int. Electron Device Meet. Tech. Dig., 1998. 1998, 385
  • HIURA, Y. Int. Electron Device Meet. Tech. Dig., 1998. 1998, 389
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