文献

J-GLOBAL ID：200902272313139966   整理番号：08A0614558

SiC{0001}表面におけるエピタクシーグラフェンの相互作用,成長および秩序化:比較光電子分光研究

Interaction, growth, and ordering of epitaxial graphene on SiC{0001} surfaces: A comparative photoelectron spectroscopy study

著者 (5件)： EMTSEV K.V. (Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU) ,  SPECK F. (Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU) ,  SEYLLER Th. (Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU) ,  LEY L. (Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU) ,  RILEY J.D. (La Trobe Univ., Victoria, AUS)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 77  号： 15  ページ： 155303.1-155303.10  発行年： 2008年04月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 6H-SiCの2個の極性表面におけるグラフェンの熱的に誘起された成長を初期段階と界面構造を主に調べた。角度分解価電子バンド光電子分光,軟X線誘起内殻準位分光,低速電子回折の測定を行った。Si終端(0001)表面では,(6√3×6√3)R30°再構成がグラフェンの成長前にでき,数層グラフェン(FLG)が成長してもこの界面に存在する。この再構成構造は,基板と共有結合したグラフェン型原子配列した炭素層であり,これがSiC(0001)上で数層グラフェンが方位角方向で秩序化する原因になる。グラフェンとC終端(0001)表面との相互作用は非常に弱く,この表面でFLGが非常に少ないことが説明できる。SiC{0001}上,FLGが成長する模型を作った。新しいグラフェン層はそれまでの積層の底で形成され,その頂上ではない。この模型から,界面結合強度の差と共に,これら2種類の表面においてFLGで観測された方位角方向の秩序度が異なる理由も説明できた。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  光電子スペクトル ,  角度分解分光法 ,  X線スペクトル ,  低速電子回折 ,  表面構造 ,  *表面再構成 ,  *薄膜成長 ,  規則度 ,  グラファイト ,  *グラフェン ,  構造

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  相互作用 ,  成長 ,  秩序化 ,  光電子分光 ,  研究