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J-GLOBAL ID:200902272732453042   整理番号:03A0204818

高性能マルチレベル記録のためのInSbTe相変化材料

InSbTe Phase-Change Materials for High Performance Multi-Level Recording.
著者 (2件):
資料名:
巻: 42  号: 2B  ページ: 795-799  発行年: 2003年02月28日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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分類 (1件):
分類
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電子・磁気・光学記録 
引用文献 (10件):
  • 1) S. R. Ovshinsky: Phys. Rev. Lett. 21 (1968) 1450.
  • 2) M. P. O’Neill and T. L. Wong: Optical Data Storage 2000 Conf. Dig., p. 170.
  • 3) Disordered Materials: Science and Technology. Selected Papers by S. R. Ovshinsky, ed. D. Adler (Amorphous Institute Press, 1982).
  • 4) S. R. Ovshinsky: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 554 (1999) 399.
  • 5) S. W. McLaughlin, Y.-C. Lo, C. Pepin and D. Warland: presented at ISOM/ODS 2002.
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