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J-GLOBAL ID：200902272932782580   整理番号：09A1035401

超高電場下での強誘電性極薄フッ化ビニリデン/トリフルオロエチレン・コポリマー薄膜のナノセカンドスイッチング特性超高電場下での強誘電性極薄フッ化ビニリデン/トリフルオロエチレン・コポリマー薄膜のナノ秒スイッチング特性

Nanosecond Switching Characteristics of Ferroelectric Ultrathin Vinylidene Fluoride/Trifluoroethylene Copolymer Films under Extremely High Electric Field

著者 (4件)： NAKAJIMA Takashi (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  TAKAHASHI Yoshiyuki (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  OKAMURA Soichiro (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  FURUKAWA Takeo (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48  号： 9,Issue 2  ページ： 09KE04.1-09KE04.4  発行年： 2009年09月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 幅広い電場範囲で,Au電極で堆積したスピン-被覆極薄のッ化ビニリデン(VDF)/トリフルオロエチレン(TrFE)コポリマー薄膜の強誘電性スイッチング測定を行った。厚さ20nmのVDF/TrFEコポリマー薄膜のために840mV/mの超高電場の適用はブレイクダウンなしで飽和分極反転に導き,そして,観察した最速のスイッチング時間は25nsあった。50nm以下の厚みで,80から40mC/m²へのPrの著しい低減が誘導されると決定した。厚みを減らすと,ヒステリシスループの低い矩形比と微分ッスイッチング曲線の著しい広幅化となった。これらは,VDF/TrFEコポリマー薄膜で観察した固有の厚み効果である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ポリフッ化ビニリデン ,  共重合体 ,  *高分子薄膜 ,  *スイッチング ,  金 ,  電極 ,  スピンコーティング ,  電場 ,  ヒステリシス ,  誘電体 ,  誘電率 ,  *フッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン共重合体
準シソーラス用語： *VDF-TrFE

分類 (1件)： 誘電体一般  (BM05010F)

引用文献 (15件)：

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• S. Ducharme, T. J. Reece, C. M. Othon, and R. K. Rannow: IEEE Trans. Device Mater. Reliab.5(2005)720.
• S. H. Lim, A. C. Rastogi, and S. B. Desu: J. Appl. Phys.96(2004)5673.
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• Y. J. Park, S. J. Kang, B. Lotz, M. Brinkmann, A. Thierry, K. J. Kim, and C. Park: Macromolecules 41(2008)8648.

タイトルに関連する用語 (9件)： 高電場 ,  強誘電性 ,  フッ化ビニリデン ,  トリフルオロエチレン ,  コポリマー ,  薄膜 ,  ナノセカンド ,  スイッチング特性 ,  ナノ秒