39GHz帯域幅を持つGe-on-Si縦入射フォトダイオード

JUTZI M; BERROTH M; WOEHL G; OEHME M; KASPER E

文献

J-GLOBAL ID：200902273513229095 整理番号：05A0632926

39GHz帯域幅を持つGe-on-Si縦入射フォトダイオード

Ge-on-Si Vertical Incidence Photodiodes With 39-GHz Bandwidth

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資料名：
巻： 17 号： 7 ページ： 1510-1512 発行年： 2005年07月
JST資料番号： T0721A ISSN： 1041-1135 CODEN： IPTLEL 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

シリコン基板上の薄い歪緩和緩衝層上に成長させた縦入射ゲルマニ...

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光導電素子

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