けい素を含む材料を使う二重露光技術

LEE Sungkoo; JUNG Jaechang; CHO Sungyoon; LIM Chang-Moon; BOK Cheolkyu; KIM Hyeongsoo; MOON Seungchan; KIM Jinwoong

文献

J-GLOBAL ID：200902273556085216 整理番号：06A0578541

けい素を含む材料を使う二重露光技術

Double exposure technology using silicon containing materials

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資料名：
巻： 6153 号： Pt.1 ページ： 61531K.1-61531K.7 発行年： 2006年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

極端紫外線を使う二重露光技術ではSiを含む底部反射防止被覆(...

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固体デバイス製造技術一般

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