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J-GLOBAL ID：200902273623020620   整理番号：09A0707592

銅箔上への高品質で均一なグラフェン膜の大面積合成

Large-Area Synthesis of High-Quality and Uniform Graphene Films on Copper Foils

著者 (13件)： LI Xuesong (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  CAI Weiwei (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  AN Jinho (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  KIM Seyoung (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  NAH Junghyo (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  YANG Dongxing (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  PINER Richard (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  VELAMAKANNI Aruna (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  JUNG Inhwa (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  TUTUC Emanuel (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  BANERJEE Sanjay K. (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  COLOMBO Luigi (Texas Instruments, TX, USA) ,  RUOFF Rodney S. (Univ. Texas at Austin, TX, USA)
資料名： Science  (Science)
巻： 324  号： 5932  ページ： 1312-1314  発行年： 2009年06月05日 
JST資料番号： E0078A  ISSN： 0036-8075  CODEN： SCIEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンはその明確なバンド構造と物理的性質のために大きな関心を集めている材料であるが,現在,グラフェン膜の大きさは,その膜が主に(拡張性の技法ではない)黒鉛を剥離して調製されているため,小寸法(通常<1000μm²)に限定されている。本検討では,メタンと水素の混合ガスを使って銅箔(本検討では25μm厚)上にグラフェン化学蒸着(CVD)成長プロセスを開発した。その膜は表面触媒化工程により表面上に直接成長しており,その膜は,2および3層グラフェンフレーク面積を<5%持つ主に単一層のグラフェンであり,検討プロセス条件下では2および3層グラフェンフレークは時間と共に成長しなかった。銅中への低い炭素溶解度が本成長プロセスを自己制限させている,と思われた。また,成長したグラフェン膜をSiO₂/Siまたはガラス等の代替基板に容易に移動できた。合成グラフェンの電気的性質を評価するため,ゲート酸化膜にAl₂O₃を使ってダブルゲート型電界効果トランジスタを加工し,室温で測定した。この素子のキャリア移動度が~4050cm²V^-1S^-1であり,その膜が妥当な品質であり,剥離天然グラファイトに相当する材料品質を達成するため,少なくとも本プロセスを改良し続けるだけの意味があるデータであった。

シソーラス用語： 銅 ,  金属箔 ,  *グラファイト ,  品質 ,  均一性 ,  *炭素 ,  *薄膜 ,  *面積 ,  *化学合成 ,  アルカン ,  水素 ,  混合気体 ,  *化学蒸着 ,  薄膜成長 ,  表面 ,  フレーク ,  含有量 ,  単一層 ,  溶解度 ,  制御 ,  ケイ素 ,  基板 ,  電気装置部品 ,  移動 ,  キャリア移動度 ,  FET【トランジスタ】 ,  *グラフェン ,  二酸化ケイ素 ,  ガラス基板 ,  高品質 ,  *大面積 ,  *炭素膜
準シソーラス用語： シリカ ,  自己制御 ,  触媒化学蒸着 ,  電界効果トランジスタ

分類 (4件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  気相めっき  (WC08022K) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (4件)： 銅箔 ,  高品質 ,  グラフェン膜 ,  大面積