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J-GLOBAL ID：200902273728238320   整理番号：05A0011042

低い暗電流をもつ高い帯域幅・効率積の太陽光不感AlGaN Schottkyフォトダイオード

High bandwidth-efficiency solar-blind AlGaN Schottky photodiodes with low dark current

著者 (7件)： TUT T (Bilkent Univ., Ankara, TUR) ,  BIYIKLI N (Bilkent Univ., Ankara, TUR) ,  KIMUKIN I (Bilkent Univ., Ankara, TUR) ,  KARTALOGLU T (Bilkent Univ., Ankara, TUR) ,  AYTUR O (Bilkent Univ., Ankara, TUR) ,  UNLU M S (Boston Univ., MA, USA) ,  OZBAY E (Bilkent Univ., Ankara, TUR)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 49  号： 1  ページ： 117-122  発行年： 2005年01月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 改良された漏れ電流と帯域幅性能をもつ,Al<sub>0.38...

シソーラス用語： 暗電流 ,...

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分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 暗電流 ,  帯域幅 ,  積 ,  太陽光 ,  AlGaN ,  フォトダイオード