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J-GLOBAL ID：200902273841089560   整理番号：09A0231687

ホウ素ドープしたホモエピタキシャルダイヤモンドの不純物バンド構造

Impurity band structure of boron-doped homoepitaxial diamond

著者 (3件)： INUSHIMA Takashi (Tokai Univ., Hiratsuka, JPN) ,  MAMIN Rinat F. (Kazan Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., Kazan, RUS) ,  SHIOMI Hiromu (Sumitomo Electric Ind., Ltd., Hyogo, JPN)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 79  号： 4  ページ： 045210.1-045210.6  発行年： 2009年01月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄いp^-層をもつp⁺/p^-/p⁺メサ構造を用いて,ホウ素ドープしたダイヤモンドの不純物バンド構造を調べた。ここで,p⁺は,可変領域ホッピング伝導を有する多量にBを添加したダイヤモンドを,p^-は,価電子バンド伝導を有する添加量の少ないダイヤモンドを表す。電気伝導率の周波数依存性および温度依存性から,p^-層に注入された正孔は極端に長い時間に渡ってホウ素の2p状態に留まり,伝導に寄与することがわかった。等価回路解析の結果,ホウ素濃度が約4×10¹⁸cm^-3を超えると,ホウ素の2p波動関数は重なりはじめ,不純物バンドが価電子バンドのトップより約0.07eV高い位置に2p状態を形成した。同時に,強い電子-光学フォノン相互作用によりFermi準位が不純物バンドに上昇し,可変領域ホッピング伝導が生じることを記した。

シソーラス用語： 半導体 ,  *ダイヤモンド ,  プラズマCVD ,  ホモエピタクシー ,  ドーピング ,  ホウ素 ,  メサ構造 ,  不純物準位 ,  *ホッピング伝導 ,  *価電子バンド ,  電気伝導率 ,  周波数依存性 ,  温度依存性 ,  濃度依存性 ,  等価回路 ,  Fermi準位 ,  電子-フォノン相互作用 ,  フォノン ,  光学フォノン ,  *鉱石 ,  *宝石
準シソーラス用語： 可変領域ホッピング

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (3件)： ホウ素 ,  ドープ ,  不純物バンド