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J-GLOBAL ID：200902274048758716   整理番号：04A0920453

大口径Si基板上へのGaN on Siパワーデバイスの開発

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著者 (2件)：
LEE J-S

LEE J-S について

(サンケン電気)

サンケン電気 について

, 
町田修

町田修 について

(サンケン電気)

サンケン電気 について


資料名：
サンケン技報  (Sanken Technical Report)

サンケン技報 について


巻： 36  号： 1  ページ： 11-14  発行年： 2004年12月01日 
JST資料番号： S0481A  ISSN： 0285-9815  CODEN： STEQDU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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パワーデバイスの開発のため,GaNの優れた材料物性をそのまま...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ケイ素

ケイ素 について

,...
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分類 (2件)：
分類
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ダイオード 
(NC03050R)

ダイオード について

,  固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

タイトルに関連する用語 (6件)：
タイトルに関連する用語
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大口径

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, 
Si基板

Si基板 について

, 
GaN

GaN について

, 
Si

Si について

, 
パワーデバイス

パワーデバイス について

, 
開発

開発 について


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