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J-GLOBAL ID：200902274202394110   整理番号：05A0801602

フローティング・ボディ・セルを備えた18.5ns 128Mb SOI DRAM

An 18.5ns 128Mb SOI DRAM with a Floating Body Cell

著者 (11件)： OHSAWA Takashi (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  FUJITA Katsuyuki (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  HATSUDA Kosuke (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  HIGASHI Tomoki (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  MORIKADO Mutsuo (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  MINAMI Yoshihiro (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  SHINO Tomoaki (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  NAKAJIMA Hiroomi (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  INOH Kazumi (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  HAMAMOTO Takeshi (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  WATANABE Shigeyoshi (Toshiba, Yokohama, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 48  ページ： 458-459,609  発行年： 2005年02月 
JST資料番号： D0753A  ISSN： 0193-6530  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年,SOIおよびバルクSiにおける埋込み型メモリ用に,キャ...

シソーラス用語： *DRAM ,...
準シソーラス用語： フローティング・ボディ・セル ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： ボディ ,  セル ,  SOI ,  DRAM