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J-GLOBAL ID：200902274310115678   整理番号：08A0226445

パルスレーザ蒸着による高い移動度と透明性,伝導性のGdドープのIn₂O₃薄膜

High mobility, transparent, conducting Gd-doped In₂O₃ thin films by pulsed laser deposition

著者 (4件)： GUPTA R.k. (Dep. of Physics, Astronomy, and Materials Sci., Missouri State Univ., Springfield, Missouri-65897, USA) ,  GHOSH K. (Dep. of Physics, Astronomy, and Materials Sci., Missouri State Univ., Springfield, Missouri-65897, USA) ,  MISHRA S.r. (Dep. of Physics, The Univ. of Memphis, Memphis, TN 38152-6670, USA) ,  KAHOL P.k. (Dep. of Physics, Astronomy, and Materials Sci., Missouri State Univ., Springfield, Missouri-65897, USA)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 516  号： 10  ページ： 3204-3209  発行年： 2008年03月31日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高い電子移動度を持つGdドープIn酸化物の高い透明性と伝導性を持つ薄膜を石英基板上に蒸着して,その構造や光学的と電気的性質に対する成長温度や酸素分圧の影響を調べた。XRD研究は,これらの膜は石英表面にランダムに配向していることを明らかにする。600°Cで成長した膜の平均粒径は23nmと計算された。膜の透光性は成長温度の増大と共に増加する。膜の透光性は蒸着時の酸素分圧の増大と共に増大することも分かった。これらの膜は電気的性質は成長温度と酸素分圧の両方に強く依存する。電気的データの分析は,膜に依存度が成長温度の増加と共に増大することを示す。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化インジウム ,  ガドリニウム ,  ドーパント ,  レーザ蒸着 ,  製膜 ,  微細構造 ,  ナノ結晶 ,  透光性 ,  電気伝導率 ,  温度依存性

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (6件)： パルスレーザ蒸着 ,  移動度 ,  透明性 ,  Gd ,  ドープ ,  薄膜