正孔ドープ高T<sub>c</sub>銅酸化物に対する統一的電子相図

HONMA T.; HOR P. H.

文献

J-GLOBAL ID：200902274379585072 整理番号：08A0686002

正孔ドープ高T_c銅酸化物に対する統一的電子相図

Unified electronic phase diagram for hole-doped high-T_c cuprates

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資料名：
巻： 77 号： 18 ページ： 184520.1-184520.16 発行年： 2008年05月
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

すべての高温超伝導体(HTS)に対して最適正孔ドーピング濃度によりスケールされる無次元正孔ドーピング濃度(p_u)を提案し,ほとんどすべてのHTSに対する統一的電子相図(UEPD)を構成した。UEPDでは不完全ドープ領域でp_uが増大するときすべての実験的に観測される特性温度およびエネルギーは収束し,過剰ドープ条件ではp_u≒1.1でT_c対p_u曲線とともにそれらは融合し,p_u≒1.3でゼロに向かう。筆者らの解析は,擬ギャップが高T_c超伝導の前駆体であり,超伝導ドーム内で観測される量子臨界点がUEPDの終点に関連づけられ,不完全および過剰ドープ高温超伝導体の正常状態が通常のFermi液相としてみなせないことを強く示唆している。

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酸化物系超伝導体の物性

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正孔ドープ高Tc銅酸化物に対する統一的電子相図

正孔ドープ高T_c銅酸化物に対する統一的電子相図