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J-GLOBAL ID：200902274408425250   整理番号：04A0824433

ゲート酸化膜アンチフューズを用いた純CMOS一回プログラマブルメモリ

Pure CMOS One-time Programmable Memory using Gate-Ox Anti-fuse
著者 (2件)：
ITO H

ITO H について

(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)

Toshiba Corp., Kawasaki, JPN について

, 
NAMEKAWA T

NAMEKAWA T について

(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)

Toshiba Corp., Kawasaki, JPN について


資料名：
Proceedings of the IEEE Custom Integrated Circuits Conference  (Proceedings of the IEEE Custom Integrated Circuits Conference)

Proceedings of the IEEE Custom Integrated Circuits Conference について


巻： 2004  ページ： 469-472  発行年： 2004年 
JST資料番号： H0843A  ISSN： 0886-5930  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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小ビット不揮発性メモリは,広い応用範囲を持っている。DRAM...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*不揮発性メモリ

不揮発性メモリ について

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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PCOP

PCOP について

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分類 (1件)：
分類
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半導体集積回路 
(NC03162T)

半導体集積回路 について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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ゲート酸化膜

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フューズ

フューズ について

, 
CMOS

CMOS について


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