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J-GLOBAL ID：200902274954276958   整理番号：08A0844632

AlおよびLiF:Alのポリ(3-ヘキシルチオフェン)との界面のバイアス依存光ルミネセンス法による比較研究

A comparative study of Al and LiF:Al interfaces with poly (3-hexylthiophene) using bias dependent photoluminescence technique

著者 (5件)： SINGH Vipul (Dep. of Biological Functions and Engineering, Graduate School of Life Sciences and Systems Engineering, Kyushu Inst. ...) ,  THAKUR Anil K. (Dep. of Biological Functions and Engineering, Graduate School of Life Sciences and Systems Engineering, Kyushu Inst. ...) ,  PANDEY Shyam S. (Dep. of Biological Functions and Engineering, Graduate School of Life Sciences and Systems Engineering, Kyushu Inst. ...) ,  TAKASHIMA Wataru (Res. Center for Advanced Eco-fitting Technol., Kyushu Inst. of Technol., 2-4 Hibikino, Wakamatsu, Kitakyushu ...) ,  KANETO Keiichi (Dep. of Biological Functions and Engineering, Graduate School of Life Sciences and Systems Engineering, Kyushu Inst. ...)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 9  号： 5  ページ： 790-796  発行年： 2008年10月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)とAlおよびLiF修飾Al(LiF:Al)との界面の性質を光ルミネセンス(PL)スペクトルを用いて研究した。新鮮なP3HT膜をAlで被覆すると高分子鎖内での不規則度が増加し,PLピークの青方偏移を観測した。この結果をP3HT膜への熱蒸発経由Al析出による鎖内不規則化に基づき説明した。更にITO/P3HT/AlおよびITO/P3HT/LiF:Al型SchottkyセルのPLスペクトルのバイアス依存性を研究した。逆バイアス条件ではPL消光が空乏層幅に直接関係付けされることを見出した。空乏層の幅の増加はAlセルの方がLi:Alセルより大きい。これらの結果を各バンドの配列の差に基づき説明した。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ポリヘキシルチオフェン ,  *アルミニウム ,  *フッ化リチウム ,  表面改質 ,  *半導体金属接合 ,  *光ルミネセンス ,  高分子鎖 ,  規則度 ,  スペクトルシフト ,  *Schottky障壁ダイオード ,  バイアス ,  電圧依存性 ,  空乏層 ,  バンド構造

分類 (4件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  半導体-金属接触  (BM03084G) ,  有機化合物のルミネセンス  (BM08094A) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (7件)： Al ,  LIF ,  3-ヘキシルチオフェン ,  界面 ,  バイアス ,  光ルミネセンス ,  研究