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J-GLOBAL ID：200902275466232700   整理番号：03A0192778

半導体スピントロニクス用のワイドギャップ材料の進歩

Advances in wide bandgap materials for semiconductor spintronics.

著者 (7件)： PEARTON S J (Univ. Florida, FL, USA) ,  ABERNATHY C R (Univ. Florida, FL, USA) ,  NORTON D P (Univ. Florida, FL, USA) ,  HEBARD A F (Univ. Florida, FL, USA) ,  PARK Y D (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  BOATNER L A (Oak Ridge National Lab., TN, USA) ,  BUDAI J D (Oak Ridge National Lab., TN, USA)
資料名： Materials Science & Engineering. R. Reports  (Materials Science & Engineering. R. Reports)
巻： R40  号： 4  ページ： 137-168  発行年： 2003年02月28日 
JST資料番号： T0341A  ISSN： 0927-796X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい半導体スピントロニクス分野では,電荷キャリアのスピンを...

シソーラス用語： *スピン分極 ,...
準シソーラス用語： スピン注入 ,...

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分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  磁区・磁化過程一般  (BM06111M) ,  発光素子  (NC03082G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： スピントロニクス ,  ギャップ