強化書込み性能をもつ4b/セル8GbNROMデータ記憶メモリ

SAHAR Ran; LAVAN Avi; GEYARI Eran; BERMAN Amit; COHEN Itzic; TIROSH Ori; DANON Kobi; SOFER Yair; BETSER Yoram; GIVANT Amichai; KUSHNARENKO Alexander; HORESH Yaal; FLIYAHU Ron; MAAYAN Eduardo; EITAN Boaz; JEN Wang Pei; FENG Yan; YAO Lin Ching; JIN Kwon Yi; WOO Kwon Sung; JING CaiEn; JING Yi Jing; OH Kim Jong; JIUN Yi Guan

文献

J-GLOBAL ID：200902275666716419 整理番号：09A0404841

強化書込み性能をもつ4b/セル8GbNROMデータ記憶メモリ

A 4b/Cell 8Gb NROM Data-Storage Memory with Enhanced Write Performance

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SAHAR Ran

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Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)

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巻： 2008 Vol.1 ページ： 422-423 発行年： 2008年
JST資料番号： D0753A ISSN： 0193-6530 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

抄録/ポイント：

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データ記憶のコスト低減への要求が高まり,セルサイズ縮小および記憶素子に入るデータのビット圧縮の双方が重要となる。本論文では,高密度化応用に適合する十分な高速書込み動作をもつ低コストの実現を目標として,4b/セル窒化物読出し専用メモリ(NROM)技術に基づく8bデータフラッシュ記憶デバイスを開発した。書き込み時間における主要な改良は,プログラミング技術,消去方式およびセンシング法の改良により達成した。高並列プログラム検証と多レベルプログラミングアプローチの組合せにより,>4Mb/sのプログラム速度を得た。

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