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J-GLOBAL ID：200902275685168430   整理番号：06A0709080

イオン注入によるアモルファスシリコンの回復速度の温度依存性評価

Evaluation of the temperature dependency of the reordering rate of implanted amorphous Si

著者 (6件)： 山澤一彰 (産業技術総合研 計測標準研究部門) ,  新井優 (産業技術総合研 計測標準研究部門) ,  柴田聡 (松下電器産業) ,  南部優子 (松下電器産業) ,  泉谷寿樹 (SEN) ,  森田剛夫 (SEN)
資料名： 産総研計量標準報告  (AIST Bulletin of Metrology)
巻： 5  号： 2  ページ： 97-104  発行年： 2006年08月 
JST資料番号： F0410B  ISSN： 1347-1473  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体機器の高集積化・高性能化は,接合の微小化を伴う。それに...

シソーラス用語： *半導体プロセス ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  温度測定,温度計  (AD06010K)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン注入 ,  アモルファスシリコン ,  回復 ,  温度依存性 ,  評価