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J-GLOBAL ID：200902275701096097   整理番号：08A0194853

70nm16Gb16レベルセルNANDフラッシュメモリ

A 70nm 16Gb 16-level-cell NAND Flash Memory

著者 (23件)： SHIBATA Noboru (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  MAEJIMA Hiroshi (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  ISOBE Katsuaki (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  IWASA Kiyoaki (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  NAKAGAWA Michio (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  FUJIU Masaki (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  SHIMIZU Takahiro (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  HONMA Mitsuaki (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  HOSHI Satoru (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  KAWAAI Toshimasa (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  KANEBAKO Kazunori (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  YOSHIKAWA Susumu (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  TABATA Hideyuki (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  INOUE Atsushi (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  TAKAHASHI Toshiyuki (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  SHANO Toshifumi (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  KOMATSU Yukio (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  NAGABA Katsushi (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  KOSAKAI Mitsuhiko (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  MOTOHASHI Noriaki (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  KANAZAWA Kazuhisa (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  IMAMIYA Kenichi (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  NAKAI Hiroto (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits)
巻： 2007  ページ： 151-152  発行年： 2007年 
JST資料番号： W0767A  ISSN： 2158-5601  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不揮発性メモリのビット当りコスト低減および高密度化の市場要求の高まりに適合すべく,メモリセルサイズ縮小への継続的努力が行われた。2002年以来シリコンストレージ市場で,4レベルセル(4LC)NANDフラッシュメモリが導入され,現在16LCNANDフラッシュメモリが開発された。本論文では,新しいプログラミング法により,70nm設計ルールを用い,16LCNANDフラッシュメモリを開発した結果について報告した。開発した16LCNANDフラッシュメモリは,同じ設計ルールの4LCNANDと比較して2倍のビット密度が可能となる,1セル4ビット蓄積が達成できた。0.62MB/sのプログラミングスループットが可能となり,ディジタルスチルカメラ,MP3プレーヤ等に対する十分な性能が得られた。

シソーラス用語： *NAND回路 ,  *フラッシュメモリ ,  非揮発性 ,  不揮発性メモリ ,  ビット ,  原価 ,  緻密化 ,  記憶素子 ,  記憶装置 ,  計算機プログラミング ,  スループット ,  音声圧縮 ,  静止画像 ,  ケイ素
準シソーラス用語： MP3 ,  コスト ,  シリコン ,  スチル画像 ,  ストレージ ,  *プログラミング ,  メモリセル ,  *高密度化 ,  不揮発性

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  AD・DA変換回路  (NC05080M)

タイトルに関連する用語 (2件)： セル ,  NANDフラッシュメモリ