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J-GLOBAL ID：200902276162654818   整理番号：08A1201552

プラズマ支援堆積を用いてガラスおよび屈曲性基板上に成長させたGaドープZnO薄膜の電気的および光学的性質

Electrical and Optical Properties of Ga-Doped ZnO Films Grown on Glass and Plastic Substrates by Using Plasma-Assisted Deposition

著者 (12件)： MURANAKA T. (Univ. Yamanashi, Yamanashi, JPN) ,  NISII A. (Univ. Yamanashi, Yamanashi, JPN) ,  UEHARA T. (Univ. Yamanashi, Yamanashi, JPN) ,  SAKANO T. (Univ. Yamanashi, Yamanashi, JPN) ,  NABETANI Y. (Univ. Yamanashi, Yamanashi, JPN) ,  AKITSU T. (Univ. Yamanashi, Yamanashi, JPN) ,  KATO T. (Univ. Yamanashi, Yamanashi, JPN) ,  MATSUMOTO T. (Univ. Yamanashi, Yamanashi, JPN) ,  HAGIHARA S. (Yamanashi Industrial Technol. Center, Yamanashi, JPN) ,  ABE O. (Yamanashi Industrial Technol. Center, Yamanashi, JPN) ,  HIRAKI S. (Nakaya Corp., Yamanashi, JPN) ,  FUJIKAWA Y. (Nakaya Corp., Yamanashi, JPN)
資料名： Journal of the Korean Physical Society  (Journal of the Korean Physical Society)
巻： 53  号： 5 Pt.2  ページ： 2947-2950  発行年： 2008年11月15日 
JST資料番号： T0357A  ISSN： 0374-4884  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 韓国 (KOR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Hall測定および光学透過率測定により種々のGa/Zn供給比により成長させたGaドープ酸化亜鉛(GZO)を特性評価し,ガラス,ポリエチレンテレフタレート(PET)そしてポリカーボネート(PC)基板上のGZO薄膜の電気的および光学的性質を調べた。0%から0.5%のGa/Zn供給比に対して290°Cでガラス基板上に成長させた薄膜の抵抗率を測定した。ガラス,PETおよびPC基板上で90°Cの低温で薄膜を成長させ,用いた基板による薄膜の抵抗率そしてHallキャリアー密度の違いを調べた。PETおよびPC基板上の薄膜もガラス基板上の薄膜と同様に良好な可視透明性を示し,可視領域における平均透過率は85%より高かった。

シソーラス用語： *プラズマCVD ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *ドーピング ,  ガリウム ,  *Hall効果 ,  *光透過 ,  基板 ,  ガラス ,  ポリエチレンテレフタレート ,  ポリカーボネート ,  電気抵抗率 ,  *キャリア密度 ,  性質
準シソーラス用語： 透明性

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (10件)： プラズマ ,  支援 ,  堆積 ,  ガラス ,  屈曲性 ,  成長 ,  Ga ,  ドープ ,  ZnO薄膜 ,  光学的性質