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J-GLOBAL ID：200902276213689522   整理番号：06A0137837

X線照射したモノリシックアクティブピクセルセンサの電荷蓄積特性

Charge collection properties of X-ray irradiated monolithic active pixel sensors

著者 (13件)： DEVEAUX M. (ULP, Strasbourg, FRA) ,  DEVEAUX M. (GSI, Darmstadt, DEU) ,  BERST J. D. (ULP, Strasbourg, FRA) ,  DE BOER W. (Univ. Karlsruhe, Karlsruhe, DEU) ,  CACCIA M. (Universita dell’ Insubria, Como, ITA) ,  CLAUS G. (ULP, Strasbourg, FRA) ,  DEPTUCH G. (ULP, Strasbourg, FRA) ,  DULINSKI W. (ULP, Strasbourg, FRA) ,  GAYCKEN G. (ULP, Strasbourg, FRA) ,  GRANDJEAN D. (ULP, Strasbourg, FRA) ,  JUNGERMANN L. (Univ. Karlsruhe, Karlsruhe, DEU) ,  RIESTER J. L. (ULP, Strasbourg, FRA) ,  WINTER M. (ULP, Strasbourg, FRA)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment)
巻： 552  号： 1-2  ページ： 118-123  発行年： 2005年10月21日 
JST資料番号： D0208B  ISSN： 0168-9002  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (3件)： X線照射 ,  アクティブピクセルセンサ ,  電荷蓄積