水素化多形シリコン中の光誘起欠陥生成

MORIGAKI K.; TAKEDA K.; HIKITA H.; ROCA I CABARROCAS P.

文献

J-GLOBAL ID：200902276311483231 整理番号：05A0635233

水素化多形シリコン中の光誘起欠陥生成

Light-induced defect creation in hydrogenated polymorphous silicon

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(Lab. de Physique des Interfaces et des Couches Minces, CNRS UMR 7647, Ecole Polytechnique, Palaiseau Cedex 91128, FRA)

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資料名：

Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology (Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)

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巻： 121 号： 1-2 ページ： 34-41 発行年： 2005年07月25日
JST資料番号： T0553A ISSN： 0921-5107 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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