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J-GLOBAL ID：200902276515710580   整理番号：04A0800999

サブミリ波InP Gunnデバイス

Submillimeter-Wave InP Gunn Devices
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著者 (2件)：
EISELE H

EISELE H について

(Univ. Michigan at Ann Arbor, MI, USA)

Univ. Michigan at Ann Arbor, MI, USA について

, 
KAMOUA R

KAMOUA R について

(State Univ. New York at Stony Brook, NY, USA)

State Univ. New York at Stony Brook, NY, USA について


資料名：
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)

IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques について


巻： 52  号： 10  ページ： 2371-2378  発行年： 2004年10月 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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220~500GHzの基本的固体発振器としてドーピングプロフ...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*Gunnダイオード

Gunnダイオード について

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分類 (2件)：
分類
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発振回路 
(NC05020Y)

発振回路 について

,  ダイオード 
(NC03050R)

ダイオード について

タイトルに関連する用語 (2件)：
タイトルに関連する用語
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サブミリ波

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, 
InP

InP について


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