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J-GLOBAL ID：200902276745864284   整理番号：05A0488683

RF MEMS用の低温で成長させた原子層蒸着Al₂O₃/ZnO誘電体薄膜の性質

Properties of atomic layer deposited Al₂O₃/ZnO dielectric films grown at low temperature for RF MEMS

著者 (4件)： HERRMANN Cari F. (Univ. Colorado, CO, USA) ,  DELRIO Frank W. (Univ. Colorado, CO, USA) ,  GEORGE Steven M. (Univ. Colorado, CO, USA) ,  BRIGHT Victor M. (Univ. Colorado, CO, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 5715  ページ： 159-166  発行年： 2005年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RF MEMS(Micro Electro Mechanic...

シソーラス用語： *マイクロマシニング ,...
準シソーラス用語： RF MEMS ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： RF ,  MEMS ,  低温 ,  成長 ,  原子層蒸着 ,  Al2O3 ,  ZnO ,  誘電体薄膜 ,  性質