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J-GLOBAL ID：200902276966287001   整理番号：04A0160564

サファイア(0001)上に成長したSiドープInNの光学特性

Optical properties of Si-doped InN grown on sapphire(0001)

著者 (3件)： INUSHIMA T (Tokai Univ., Hiratsuka, JPN) ,  HIGASHIWAKI M (Communications Res. Lab., Tokyo, JPN) ,  MATSUI T (Communications Res. Lab., Tokyo, JPN)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 68  号： 23  ページ： 235204.1-235204.7  発行年： 2003年12月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InNの自由キャリアと縦光学(LO)フォノンとの相互作用のキ...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B) ,  ポーラロン,電子-フォノン相互作用  (BM02130P)

タイトルに関連する用語 (6件)： サファイア ,  成長 ,  Si ,  ドープ ,  InN ,  光学特性