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J-GLOBAL ID：200902276977637870   整理番号：08A0996406

高酸素圧のフラックス法で成長させた高性能のBi_0.5Na_0.5TiO₃単結晶

High-Performance Bi_0.5Na_0.5TiO₃ Single Crystals Grown by High-Oxygen-Pressure Flux Method

著者 (4件)： YAMAMOTO Katsuya (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SUZUKI Muneyasu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NOGUCHI Yuji (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  MIYAYAMA Masaru (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47  号： 9 Issue 2  ページ： 7623-7629  発行年： 2008年09月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高温の欠陥化学に基づくBi_0.5Na_0.5TiO₃単結晶用のP_O2(酸素圧力)結晶成長を開発した。熱重量解析により高温での表面反応(酸素吸着)によりBi及びO空孔の形成が制御され,高P_O2により抑制されることが分かった。P_O2が1MPaで成長させたBi_0.5Na_0.5TiO₃単結晶は[110]_cubicに沿った飽和残留分極が44μC/cm²であり,菱面体Bi_0.5Na_0.5TiO₃の[111]_cubic(極性方向)に沿った自発分極は54μC/cm²と考えられた。提案した高P_O2熱処理は,Biベース強誘電酸化物を用いた高品位で高性能な強誘電体/圧電デバイスの作製に効果的である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *強誘電体 ,  *ビスマス化合物 ,  *ナトリウム化合物 ,  *チタン酸塩 ,  置換型固溶体 ,  高圧気体 ,  酸素 ,  フラックス法 ,  *結晶成長 ,  吸着 ,  空格子点 ,  残留分極 ,  抗電場 ,  自発分極 ,  漏れ電流 ,  電歪 ,  振動子 ,  誘電分極 ,  インピーダンス ,  位相 ,  周波数依存性 ,  強誘電分域 ,  分域構造 ,  ピン止め
準シソーラス用語： 分極処理 ,  分域壁

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I)

引用文献 (126件)：

• J. F. Scott, C. A. Araujo, B. M. Melnick, L. D. McMillan, and R. Zuleeg: J. Appl. Phys.70(1991)382.
• S. E. Park and T. R. Shrout: J. Appl. Phys.82(1997)1804.
• R. Ramesh, W. K. Chan, B. Wilkens, H. Gilchrist, T. Sands, J. M. Tarascon, V. G. Keramidas, D. K. Fork, J. Lee, and A. Safari: Appl. Phys. Lett.61(1992)1537.
• B. Noheda, J. A. Gonzalo, L. E. Cross, R. Guo. S. E. Park, D. E. Cox, and G. Shirane: Phys. Rev. B 61(2000)8687.
• R. Guo, L. E. Cross, S. E. Park, B. Noheda, D. E. Cox, and G. Shirane: Phys. Rev. Lett.84(2000)5423.

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸素圧 ,  フラックス法 ,  成長 ,  高性能 ,  単結晶